メモリ開発設計エンジニア

求人会社名 : 会社名非公開

求人ID : shin19

仕事内容	■組織としての担当業務次世代大容量・高速不揮発性メモリデバイスの開発並びにそのメモリ製品を用いた新規ビジネスの立ち上げ。 ■次世代大容量・高速不揮発性メモリの開発・次世代不揮発性メモリデバイス開発エンジニア　（新材料を最先端プロセスに導入するプロセスインテグレーション）・次世代不揮発性メモリ製品設計エンジニア　（システム・デバイスを連携・把握し大容量・高性能不揮発性メモリを実現する製品設
応募資格	■必須：半導体メモリデバイス開発経験またはメモリ回路設計経験 ■必須：英語：海外の協業先と意思疎通できること。
勤務地	神奈川県神奈川県
勤務時間	勤務時間は7時間45分 (標準労働時間帯 9:00～17:30) コアタイム 9:30～15:30として出勤退勤時間を選択できる月間フレックスタイム制あり
年収・給与	年収：600万円～800万円
休日・休暇	完全週休2日制 (土・日)、フレックスホリデー (個人が設定できる連続休暇制度)、年末年始休暇、会社休日 (年間125日/2017年）、年次有給休暇 (初年度17日、最大24日) 年間休暇平均取得日数　平均20日

求人会社名	会社名非公開
概要	■オーディオ ■ビデオ ■テレビ ■情報・通信 ■半導体 ■コンポーネント
業種	家電・AV機器

この求人の取扱い紹介会社

キャリア・デベロプメント・アソシエイツ株式会社(東京本社)